八月份三星曾宣布将开始量产超高速 eMMC 闪存芯片，而现在采用 10nm 制程的 64GB eMMC Pro Class 2000 移动闪存芯片就出现在我们面前。和之前的产品相比其制程从 20nm 改进到了 10nm，芯片体积小了约 20%，而在性能表现和生产力效率方面则有了高达 30% 的提升。

10nm 制程的 64GB eMMC Pro Class 2000 移动闪存芯片

    几个月前三星刚刚推出了使用 JEDEC eMMC 4.5 接口的芯片，现在新品问世，他们下一步的计划是在明年的时候向 JEDEC 申请全新的介面标准。

    据悉这款产品的任意书写速度达到了 2000 IOPS（每秒输入输出运转次数，Input / Output Operations Per Second），任意读取速度为 5000 IOPS，和之前产品 1500 IOPS / 3500 IOPS 的成绩相比有了很大的进步。而在连续书写／读取方面其表现分别为 260MB/s 和 50MB/s，据了解这批芯片已于上月投产。